怎样造芯片？

当今惹不得的中共国人被一块芯片卡住了脖子；不是因为他们不够聪明，也不是因为他们没有钱或资源，而是他们太过强横。自以为东升西降，中共成了全宇宙的主宰，别人都是蝼蚁般的存在；谁不迎合它的意志，它便灭了谁。殊不知，是人都有不知道的事情，是鬼都有值得敬畏的神灵；唯有无知的流氓不需与他人共存。

为什么台湾人（也是中华民族）造得出高端的芯片,韩国人也行？因为他们能买到ASML的光刻机。就这么一台光刻机，可不只是瑞典人的专利，它是美洲人，欧洲人，非洲人，亚洲人集体智慧的结晶，唯独中共国人被排除在外，有钱也买不来。动武去抢抢看？人家毁了也不会留给你！这得招致了多大的怨恨啊？墙国内就没有一个醒着的人。

那就自己造呗。可是，芯片工厂开了一大堆，个个都只是为了骗钱。最可恶的要数陈进，把别人的芯片买来，叫民工磨掉印记，就成了自己的产品，骗了十几亿的资金。中共体制下的人，良心都是大大坏了的。这并不是因为被嵌制了思想自由（搞量子技术的潘建伟没有受到任何思想限制吧？），可能是尔虞我诈的本性使然。可是，台积电的工程师投奔到了中共，为什么也搞不出高端芯片了呢？待遇差？被坑了？还是一到中共治下，脑子就被吓坏掉了？

芯片，又称为集成电路，就是把具有某种存储、运算功能的逻辑电路刻在一块半导体上。半导体（如硅，碳）的性能介于导体与绝缘体之间，人们可以很好地控制电信号的流动。半导体是可以双向导电的，是科学家们发现了二极管（具有阴阳两几或PN结）的单向导电性，人类才有了电控开关，从而可以用电流来表示信号。有电子二极管和晶体二极管之分，电子二极管现已很少见到，比较常见和常用的多是晶体二极管。二极管的电压与电流不是线性关系；二极管的管压降：硅二极管（不发光类型）正向管压降0.7V，锗管正向管压降为0.3V，发光二极管正向管压降会随不同发光颜色而不同。主要有三种颜色，具体压降参考值如下：红色发光二极管的压降为2.0--2.2V，黄色发光二极管的压降为1.8—2.0V，绿色发光二极管的压降为3.0—3.2V，正常发光时的额定电流约为20mA。还有三极管、场效应管、晶闸管等各种晶体管（transistor）；它们具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。与普通机械开关（如Relay、switch）不同，晶体管利用电信号来控制自身的开合，所以开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。

芯片制造的过程就如同用乐高盖房子一样，先有晶圆作为地基，再用氧化物一层层向上叠加，最高可达上百次叠加；每一次的叠加，都必须和前一次完美重叠，重叠误差要求是1~2纳米。然后是用光刻机通过光线把电路图案“印刷”到晶圆上；可以理解为在晶圆表面绘制半导体制造所需的平面图。光刻机以极高的加速度进行扫描曝光，在不到0.1秒的时间，又要急停并回头往反方向扫描。ASML光刻机利用所谓的balance mass来吸收平衡晶圆平台所施加于机座的反作用力，使整座机台完全静止，以达到完美的成像。

第二步是刻蚀与沉积。在晶圆上完成电路图的光刻后，就要用刻蚀工艺来去除任何多余的氧化膜且只留下半导体电路图。接下来是创建芯片内部的微型器件，即晶体管或存储单元；我们需要不断地沉积一层层的“薄膜”并通过刻蚀去除掉其中多余的部分，另外还要添加一些材料将不同的器件分离开来。要形成多层的半导体结构，还需要先制造器件叠层：在晶圆表面交替堆叠多层薄金属（导电）膜和介电（绝缘）膜，之后再通过重复刻蚀工艺去除多余部分并形成三维结构。

第三步是把晶体管等元件，用金属材料连接起来，以实现电力与信号的发送与接收。用于半导体的金属需要满足以下条件：低电阻率，热化学稳定性，高可靠性，低制造成本。互连工艺主要使用铝和铜这两种物质。互连工艺始于铝沉积、光刻胶应用以及曝光与显影，随后通过刻蚀有选择地去除任何多余的金属和光刻胶，然后才能进入氧化过程。之后再不断重复光刻、刻蚀和沉积过程直至完成互连。最后是测试和封装。

这些过程，人人都懂，只是工艺的精细程度之别。电路图案的精细度越高，成品芯片的集成度就越高，必须通过先进的光刻技术才能实现，刀刻、液刻、气刻、声刻，都太粗糙了。作为芯片生产过程中最关键设备的光刻机，有着极高的技术壁垒，有“半导体工业皇冠上的明珠”之称，是全人类智慧的结晶。

1965年，摩尔定律诞生；Gordon E Moore(化学家)预测，未来一个芯片上的晶体管数量大约每18个月翻一倍。1968年7月，Robert Noyce（物理学家）和Gordon Moore 从Fairchild半导体公司辞职，创立了英特尔（Intel）公司，即集成电子设备（integrated electronics）的缩写。1971年，英特尔发布了其第一个微处理器4004。4004规格为1/8英寸 x 1/16英寸，包含仅2000多个晶体管，采用英特尔10微米PMOS技术生产。2010年11月，NVIDIA发布全新的GF110核心，含30亿个晶体管，采用先进的40纳米工艺制造。2011年05月，英特尔成功开发世界首个3D晶体管，称为tri-Gate。2016年，劳伦斯伯克利国家实验室的一个团队打破了物理极限，将现有的最精尖的晶体管制程从14nm缩减到了1nm，完成了计算技术界的一大突破。

还有不有更深刻的工具呢？量子行吗？虚拟的弦行吗？有谁能实现我的丝子想法？这可是控制电信号的终极办法，比离子阱、电子阱还要精细一万倍，还不需要十几亿！