上世纪80年代开始从事半导体研究，可以说是早已被开垦且成熟的领域，诺贝尔奖早已给了发明晶体管的前辈，按说没有任何希望搞出突破性的研究成果。突然有一天，半导体学界爆出重磅消息，英国科学家发现（剑桥大学卡文迪许实验室核实）单晶硅通过电解阳极氧化可以发出可见光，于是全民皆兵，冲上战场，大有当年高温超导（土法炼钢）的味道，诺贝尔奖似乎指日可待。
我所在的实验室所有师生员工都投入到发光硅的研究，热门课题申请到很多经费，仪器设备齐全，实验进展神速，记得在一年多时间里发表了十几篇论文。但是结论并不像人们当初想像的那样掀起一场半导体工业的革命，离诺贝尔奖就更远了。
置办了这么多电解仪器，总不能扔到大街上吧。于是有人建议利用这些装置做冷聚变，趁着美国犹他大学的试验结果尚未澄清之际，撞一撞运气。这玩意儿要是搞成了，诺贝尔奖唾手可得。堂堂知名大学做这种荒唐研究，确实不好说出口，所以我们全实验室人员绝对保密，连家人都不许告诉。但是我们买了重水和中子探测器，还是瞒不了明眼人的。
冷聚变研究的结果不用多说了，如果当年搞成了，我也不可能写博客了。当时我对老婆说，如果听到物理楼轰隆一响，就不要再找我了。
我来美国后，也有一次与诺贝尔奖沾边的机会。还记得有一年法国物理学家因为GMR研究成果获诺贝尔奖吗，其实我做的课题与他的相差不远，原理都在于电子运动所受阻力与自旋取向相关。
我的实验是在半导体材料上做的，把磁性薄膜镀到半导体表面（欧姆接触），然后电子束刻蚀做成电路，电极之间距离极小（100纳米）， 然后把电极的磁性改变。因为电极磁畴跟随外磁场的转动与尺寸有关，我们故意把正负极的磁性薄膜刻成不同尺寸，于是电流大小和外磁场的关系就表现出来了。可惜没能坚持做完就离开大学进入工业领域了。
回首过去，
