晋华简介。它和联电的关系说明问题主要在联电身上

昨天估计问题主要在联电身上。今天有时间查了一下果然如此。

 

wiki上晋华 简介（wiki给的晋华的网站现在已经不能打开）

https://zh.wikipedia.org/wiki/%E6%99%8B%E5%8D%8E%E9%9B%86%E6%88%90%E7%94%B5%E8%B7%AF#cite_note-company-1

福建省晋华集成电路有限公司（简称晋华集成电路，JHICC）是福建省电子信息集团、晋江能源投资集团有限公司等共同出资设立的先进集成电路生产企业。

 

晋华现状 （6/18）

https://www.laoyaoba.com/newinfo?id=674067

晋华集成电路与台湾联华电子开展技术合作，专注于随机存取存储器（DRAM）领域。企业用地面积约600亩，一期总投资370亿元。工程建设方面，采取EPC总承包模式，交叉推进设计、采购、施工各个环节；项目运作模式为边建设、边引才、边研发。

 

集微网记者于5月26日参观晋华集成电路公司，了解到当前厂房正进行内部装修和机电安装。

 

办公楼

 

主厂房

 

按计划，6月工程建设竣工，9月正式投产，预计投产后的一期项目可实现月产6万片12英寸晶圆的产能。

 

晋华项目进展：

 

 

晋华项目宣传片指出，晋华以三星海力士等行业巨头为标杆，力争通过自主研发实现对行业领先制造工艺的赶超。对比国内同类项目晋华项目建设进度优势明显，有望成为国内首家拥有自主技术的内存龙头企业。

 

据悉，晋华集成电路在人才团队方面，采取海内外人才招聘与人才培训相结合的方式。按计划，2018年人才队伍将达1200人，目前已招募人员800多人。

 

由于晋江集成电路产业基础较薄弱，晋江市以晋华项目为龙头，构建“三园一区”产业发展空间载体，打造设计、制造、封装测试、装备与材料、终端应用的集成电路全产业链生态圈，其目标是到2025年可形成1000亿产业规模。据悉，台湾矽品、台湾芝奇、美国空气化工等20多个产业链项目已落地晋江，总投资近600亿元，产业链生态圈正逐步形成。

 

正在建设的台湾矽品位于晋华集成电路对面，将以DRAM封测业务为主。

 

晋华和联电的关系

http://www.eefocus.com/embedded/399729 

据台湾媒体报道，美光大动作在美对联电及福建晋华可能窃取及使用营业秘密一事提出诉讼，联电总经理简山杰对此予以驳斥，强调联电早年就生产过DRAM，本身拥有不少DRAM专利，事隔15年后决定自主研发DRAM技术，目的是为了替台湾半导体产业落实技术扎根。 以下是专访纪要。

 

问：联电重新投入DRAM技术研发原因为何？

答：联电的本业是晶圆代工，顺应市场趋势并强化晶圆代工的服务，联电研发DRAM的经验有助于新世化内存的发展，包括MRAM（磁阻式随机存取内存）等，等于可以抢先进入有潜力的新市场。 再者，联电是借外部力量来研发DRAM技术，福建晋华支持研发费用，双方共同投入研发设备及技术，可快速研发速度，不会挤压联电的获利表现。

 

联电要独立自主研发DRAM技术，另一个重要意义是为台湾半导体产业落实技术扎根，这是当年联电与世界先进完成自主研发DRAM技术后，相隔15年后再次有台湾企业投入难度最大的DRAM研发工作，意义格外重大。

 

问：美光对联电提告的关键在于联电多年未涉及DRAM研发及生产，联电的技术来源为何？

答：联电要自主研发DRAM技术。 联电在晶圆代工市场多年，长期投入研发已有很好的技术实力，连最先进囗最复杂的14nm逻辑IC制程都自主研发成功并开始投产，而且许多DRAM技术与联电既有的逻辑技术相通。（中国半导体论坛微信：csf211ic） 至于在DRAM特有技术部分，则透过公开的技术报告、逆向工程方式了解，再依据开发路线落实。 事实上，DRAM工作原理没有改变，现今的DRAM只是藉由更先进的制程技术，达到每位更低成本的目标，操作原理与15年前研发DRAM时相同。

 

问：联电的DRAM事业的营运模式为何？

答：联电目前与国外DRAM设计公司合作，以达成及加速DRAM技术研发。 不同于三大DRAM厂有自己的设计团队，联电本业是晶圆代工，所以与DRAM设计公司合作最符合联电的营运模式，与经验丰富的DRAM设计团队合作，可以减少研发过程中的许多不确定性因素，加快问题解决的速度。 再者，联电未来的DRAM技术研发成功后，会授权给晋华生产，但联电并没有投资晋华，未来也可争取其它DRAM代工订单。 联电目前没有自建DRAM产能计划，不会与台湾现有DRAM厂商竞争。

 

问：联电自行研发的DRAM技术与美光的DRAM技术并不相同？

答：联电不了解美光制造DRAM的内容，因此无从说明两者之差异，但根据第三方TechInsights于2013年发表文章，有分析美光、尔必达、三星、SK海力士在30奈米制程世代的DRAM，美光采用直行式主动区（Active Area，AA）设计，但联电DRAM选择交错式AA设计，与美光的记忆胞架构明显不同。 DRAM的记忆胞是技术上最核心之处，选择不同的记忆胞架构，代表了不同的研发道路，证明联电和美光的技术核心不相同。

 

事件回顾，12月初美光科技在美国加州提起民事诉讼，控告联电及福建晋华侵害DRAM的营业秘密。

 

美光表示，该公司依据保护营业秘密法，与反勒索及受贿组织法的民事条款，控告联电与福建晋华窃取其商业机密及其他不当行为；美光将积极保护其全球知识产权，以一切法律途径，遏止任何不法滥用行为。

 

去年五月，联电宣布与福建省晋华集成电路公司签约合作。

 

看了这个台湾媒体的专访，倍感扎心！联电总经理主要表达的意思是：
1: 联电没有窃密。
2：联电是借外部力量来研发DRAM技术，福建晋华支持研发费用，联电不怎么花钱！
3：联电未来的DRAM技术研发成功后，会授权给晋华生产，研发成功后晋华也不掌握技术主导权！
4：DRAM技术研发成功后，目的是为了替台湾半导体产业落实技术扎根。
联电总经理这么讲，福建晋华脸上真是大写的尴尬！近一年建厂热大起，各种合资厂纷纷开建，看似一片向好的半导体产业，如果都像福建晋华这般，在合作者眼里只是扮演如此尴尬的地位，钱你出，技术在我，目的是为了替台湾半导体产业落实技术扎根。这种模式下那中国自主半导体产业，一万年也搞不出来。