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紫光存储芯片量产 打响中国存储芯片第一枪

(2018-04-23 02:36:03) 下一个

紫光存储芯片量产 打响中国存储芯片第一枪

科工力量

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日前,长江存储以“芯存长江,智储未来”为主题,庆贺存储器基地正式移入生产设备。目前,长江存储新建的厂房已经完成厂内洁净室装修和空调、消防等系统的安装。只要生产设备搬入并完成调试之后,就可以量产NAND Flash芯片,打响中国在存储芯片领域的第一枪。

 

不过,正如“八一”南昌起义后,中国人民彻底推翻“三座大山”用了20多年,中国存储芯片要击败三星、SK海力士、东芝、闪迪、西数、英特尔等国外大厂,也要经历比较漫长的过程。

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长江存储武汉工厂量产存储芯片仅仅是一个开始

 

自2016年第四季度开始,存储芯片价格一路上扬,在三星、SK海力士、东芝、闪迪等企业大发横财的同时,中国消费者和华为、联想、小米、OPPO、VIVO等电子产品整机厂却深受其害。

 

而且随着物联网、人工智能、大数据等行业的发展,对于存储芯片的需求会与日俱增,如果在这方面受制于人,完全依赖美国、日本和韩国厂商,对于中国IT产业的发展而言非常不利。

 

为了实现在存储芯片方面不再受制于人,紫光集团整合了武汉新芯、西安华芯等在存储芯片方面有一定积累的内资企业,并在国家的扶持下,投入巨资发展存储芯片。本次在武汉即将量产NAND Flash的工厂,则是紫光近年来努力的成果。

 

根据紫光公布的资料,国家存储器基地一期规划投资240亿美元,占地面积1968亩,建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND闪存生产厂房。在2018年4月实现小规模量产32层64G存储芯片,2019年实现商业化量产。到2020年,存储器基地一号项目总产能将达到每月30万片。

 

赵伟国曾透露,目前已经筹集1800亿人民币,其中800亿人民币投资武汉的存储工厂,并计划用另外1000亿人民币在成都、南京再建两个存储工厂。力争让中国企业进入世界内存企业的第一梯队,到2020年,计划把中国芯片制造自产率从 8%提升到40%。

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长江存储的32层NAND

境外企业对中国大陆高度技术封锁

 

近5年来,紫光在全球范围内掀起了一股并购狂澜,一系列资本运作更是让人眼花缭乱。

 

2013年底,紫光先以18亿美元收购展讯通信,后以9.1亿美元收购锐迪科,将中国大陆前三的两家芯片设计公司整合到一起。

 

2014年,紫光将紫光展锐20%股份以15亿美元的价格出售给了英特尔。随后又获得了集成电路大基金100亿元人民币的投资和国开行200亿元贷款。

 

2015年,紫光以25亿美元收购华三公司51%的股权。

 

紫光在大陆收购企业成功率颇高,但在境外的收购往往因各种原因无疾而终。

 

在2015年,紫光计划投资230亿美元收购镁光,以及计划投资38亿美元收购西部数据15%股权,进而由西部数据出资190亿美元收购闪迪。这项计划显然是为了通过收购镁光,或借助西部数据持有闪迪的股票,进而获得进军存储芯片市场的入场券。不过,两笔收购都没能成功,紫光收购西部数据15%的股份还因为美国外资投资委员会的审查而告吹。

 

在2015年底,紫光计划分别出资111.33亿元、23.94亿元、36亿元收购台湾矽品精密约24.9%的股权、南茂科技约25%的股权和力成科技约25%的股份。紫光此举立即引爆台湾舆论,有台企负责人称此举如“引清兵入关”。蔡英文表示“务必小心处理”,要求“经济部”投审会不得让紫光并购案审查通过。

虽然紫光近年来“买买买”的行为为其招致很多非议,但收购境外存储芯片大厂,是介入一个领域的最快途径,如果紫光同时注重技术引进和消化吸收,就可以在存储芯片行业复制高铁模式。

 

毕竟中国中车(南车、北车)也曾经从庞巴迪、川崎重工、西门子、阿尔斯通那里买技术。紫光的做法就和当年中车从国外买技术类似,都是着眼于引进境外技术,提升本土技术实力。只是由于美国及其盟友对华技术封锁,收购没能成功。

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高启全

另外,紫光在收购的同时,也没有放弃自主研发,高薪聘请了台湾有“存储教父”之称的高启全等一大批技术人员,与中国大陆工程师共同开发存储芯片。本次即将小规模量产的32层NAND芯片就是自主研发的技术成果。

 

因此,网络上对紫光“买买买”的非议并不客观,而且以偏概全。

三星、东芝、镁光掀起新一轮建厂大潮

 

近期,三星,东芝,镁光和SK海力士等境外存储芯片大厂都在大肆扩建工厂。在2018年3月,三星就在西安举行了存储芯片二期项目开工奠基仪式,未来三年将投资70亿美元,把晶圆的月产量提升至22万片。

 

东芝被贝恩资本收购后,也表示将投资70亿美元开建存储芯片工厂,并计划在2019年量产96层的3D NAND Flash芯片。

 

扩建工厂的还有镁光和SK海力士,镁光在新加坡的3座存储芯片工厂也于最近动工,并计划在2019年底商业化量产64层或96层3D NAND芯片。SK海力士新建的工厂计划在2019年投入运营。

 

从上述情况可以看出,三星、SK海力士、东芝、镁光等国外大厂新建的工厂大多是在2019年商业化量产,这个时间点可谓卡的恰到好处。正好是长江存储开始商业化量产的时间。在全球NAND Flash产能大幅提升的情况下,存储芯片的价格有可能会逐渐走低,这对于刚刚开始与国际大厂竞争的长江存储来说,着实不是一个好消息。在没有赶上前一轮存储芯片大涨价的情况下,又即将与国际大厂开始白刃战,长江存储在未来几年可能会遭遇类似京东方早年的长期亏损的局面。

 

此外,正如一句俗话钱不是万能的,但没有钱是万万不能的,在发展中国存储芯片产业过程中,必须要有充足资金做后盾。像韩国三星在2017年就投入了超过了600亿美元用于半导体上的技改和研发。如果国内企业一年投入到不了100亿美元,是进入不了第一集团的。

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赵伟国

 

想必正是如此,赵伟国计划再筹集1900亿,加上之前筹集到的1800亿元,计划用总计3700亿人民币作为底牌,备足未来5年弹药,与国外大厂打一场持久战。                       

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