说到“手机的平台化”,首先要给大家澄清一下“平台化”的概念。一般来说,讲“平台”,会包含软平台和硬平台两种,所谓软平台就是刚刚提到的手机操作系统,称之为平台,更多地是基于应用开发者的角度考虑。至于硬平台,则是今天文章的主题,也就是基于ARM基础架构的目前手机市场智能产品普遍采用的处理器芯片组。
ARM(Advanced RISC Machines)
ARM公司是专门从事基于RISC(32位元精简指令集)技术芯片设计开发的公司,作为知识产权供应商,本身不直接从事芯片生产,靠转让设计许可由合作公司生产各具特色的芯片。说通俗一点,就是ARM既是一家公司的名字,也是一种微处理器架构的名字。就好像高通一样,ARM自己也不生产芯片,而是将技术专利出售获取利润。但架构这个东西是个基础,任凭有再强大的芯片设计,归根到底还是得基于ARM架构开发。
Snapdragon骁龙S4——高通Qualcomm
高通Snapdragon骁龙
Snapdragon骁龙是高度集成的移动优化系统芯片(SoC),结合了业内领先的3G/4G移动宽带技术与高通公司自有的基于ARM的微处理器内核、强大的多媒体功能、3D图形功能和GPS引擎。虽然本届MWC展会高通并没有特别强调自己的Snapdragon骁龙S4芯片组,但这个28nm制程、支持异步对称式多核、业界首款完全集成的LTE世界模/多模的调制解调器、高性能可编程Adreno GPU、以及高度集成所带来的低功耗处理器,却绝对是高通在2012年的拳头产品。
TEGRA3——NVIDIA英伟达
全球首款移动四核心处理器,采用台积电40nm工艺制造,四核心最高频率1.4GHz,单核最高1.5GHz,CPU性能最高可达Tegra 2的5倍。内部集成12核GeForce GPU,GPU性能是Tegra 2的3倍,并支持3D立体显示。同时,其四核功耗也比双核的Tegra 2更低。
在本次MWC展会上,我们也了解到了TEGRA3的终极奥义:4-PLUS-1,即四核之外的第5颗核心。这颗被称为“Companion CPU core”协核心的处理单元,与其它四核同为ARM Cortex-A9架构,但其中四个采用高性能制程(G)制造,为更高频率运行优化;而最后一个“协核心”则为低功耗制程(LP)打造,漏电流更低,为低频率运行优化,最高频率仅500MHz。
Exynos5——SAMSUNG三星
2011年2月,三星电子正式将自家基于ARM构架处理器品牌命名为Exynos。Exynos由两个希腊语单词组合而来:Exypnos和Prasinos,分别代表“智能”与“环保”之意。大家所熟悉的中文名“猎户座”,其实是它的开发代号Orion。
虽然Exynos诞生的时间不长,但是三星处理器的历史却追溯到很久以前。在Exynos命名之前,三星的处理器型号夹杂字母和数字,比如一代iPhone和iPhone 3G所使用的S5L8900(主频412MHz、GPU是PowerVR MBX-Lite)。而iPhone 3GS使用的基于ARM Cortex-A8架构的S5PC100处理器,主频667MHz,也是帮助三星处理器名声大振的一代产品。再之后Exynos经历了3、4代的发展,包括3代Hummingbird(蜂鸟),以及三星GALAXY S II和魅族MX所使用的4代Exynos4210。
最新的Exynos5250,采用32nm工艺,双核ARM Cortex-A15架构设计,工作频率2.0GHz,内存带宽达到12.8GB/s,可驱动高达WQXGA(2560x1600)分辨率的显示设备,计算性能是目前1.5GHz双核Cortex-A9架构的Exynos4210的2倍。虽然没有搭载产品亮相MWC2012展会,但是谁能不期待这样的产品呢?
TI OMAP5——TEXAS INSTRUMENTS(TI)德州仪器
OMAP(Open Multimedia Application Platform),是德州仪器(TI)公司的开放式多媒体应用平台,通常包括一个或多个ARM构架处理器和专用协处理器。从2003年至今,OMAP也经历了5代换血,2011年的OMAP4430是TI的首个双核处理器,采用双核心ARM Cortex-A9 MP处理器,相比Cortex-A8内核整体提升了1.5倍的性能。OMAP4430在同级双核里被喻为性能最优秀的处理器,拥有Tegra2没有的NEON模块,拥有比Exynos4210更小的发热量,拥有比MSM8260更优秀的构架,有“怪兽级”双核处理器之称。
后续的OMAP4460、4470也全都是ARM Cortex-A9架构的产品。到了OMAP5,包括5430、5432两个型号,都采用TI定义的低功耗28nm制造工艺,同时拥有两个ARM Cortex-A15 MP内核处理器,均具有高达2GHz的主频,两个ARM Cortex-M4处理器可实现低功耗负载和实时响应,支持双通道DDR3/DDR3L内存。