利益均沾
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从美国驻华大使雷德和英特尔总裁兼CEO保罗·欧德宁的言语中，似乎能看出一些美国对华半导体政策松动的迹象。
今日上午，英特尔在北京人民大会堂宣布，将在中国辽宁省大连市投资25亿美元建立一个生产300毫米晶圆的工厂。
据悉，到2010年落成之时，大连晶圆厂将成为英特尔全球八个300毫米晶圆工厂网络中的一员，其余七家座落在美国、爱尔兰和以色列。与现在业内普遍使用的200毫米（8英寸）晶圆技术相比，300毫米晶圆技术不仅能使半导体元器件的产能得到显著提高，还将大大降低成本。
英特尔方面称，这一工厂（英特尔Fab68号厂）是英特尔在亚洲的第一个晶圆厂，将强化和完善英特尔在中国制造运营体系，也进一步体现出英特尔对中国的承诺和深入推进本地化的决心。
美国驻华大使雷德和英特尔总裁兼CEO保罗·欧德宁出席了上午举行的新闻发布会，并发表演讲和接受了记者提问。
对于为何选择在中国设立晶圆厂，欧德宁表示，“中国是全球第二的IT市场，而且很多英特尔都选择了在中国落户，从整个产业的发展来看，选择中国是显而易见的。”
欧德宁还指出，“英特尔与中国政府有20余年的友好合作关系，从发展浦东、西部大开发、以及振兴东北这些区域发展战略中，英特尔与中国政府有很好的合作。从教育、电力、水利等基础设施以及市场等各方面考虑，大连都是此次投资的不二选择。
英特尔要在大连建立芯片厂的消息传闻已久，但是直到今天才得以发布，用大连市市长夏德仁的话说，“中国有句老话，叫做好事多磨。”
据夏德仁介绍，“一年半以来，我们双方为此项目所作出了艰苦的努力。我作为这一项目的见证人，今天可以说是百感交集。在政府有关领导的领导下，英特尔的工作团队和大连市政府的工作团队是两个非常优秀的工作团队，艰苦细致的前期工作，讨价还价的艰苦的谈判，使我们这个项目历经艰辛，同时也有很多的戏剧性，今天终于谈成，我确实要向这两个团队表示衷心的感谢，也祝贺大家终于促成了一个世界级的大项目。”
由于受到美国高科技出口管制条例《瓦森那协议》的限制，美国只允许高科技公司向国外授权落后两代的技术。而按照英特尔的产品技术路线图，其将在今年下半年量产45纳米芯片，而基于90纳米制程的芯片就可以在国外生产。
有分析认为，这次宣布在大连设立工厂是基于90纳米制程，但是人们都对其2010年投产后到底会基于哪种制程报极大兴趣。而且，人们都认为它仅用于生产芯片组实在是有些浪费。
而且，目前英特尔45纳米的处理器将在下半年量产，以及在2009年英特尔将切入32纳米技术，这就给大连芯片厂是否会生产处理器埋下了伏笔。
美国驻华大使雷德在发布会上表示，“这一投资项目是美国领先的高科技公司为带来的具有里程碑式的项目，在过去的20年的时间里，英特尔的发展从最开始的封装测试到研究发展，目前在中国也逐步发展，投资已经超过了30亿美元，充分显示了英特尔对中国的承诺，这样一个新的工厂不仅仅是英特尔的一大功绩，也是辽宁省、东北振兴以及大连市发展的成果之一。”
从雷德的高调出席和演讲中，人们似乎可以看出美国半导体政策正在对中国有所松动。而从欧德宁的言语中似乎也看不到《瓦森那协议》的影响。他表示，“并不是所有的产品都需要最先进的技术，我们主要考虑市场需求和时机。”
欧德宁还指出，“对芯片组来说，产量是非常重要的。然后我们才会考虑微处理器。我们当然希望能够在投产的时候生产最为先进的产品，也要考虑当时美国政府的需求。”
从英特尔方面的信息看出，大连厂将在2010年投产，而按照英特尔的路线图将在2009年切入32纳米制程。
对于三年后的大连厂的规划，欧德宁并未给出清晰的说法，但是他的回答也给人留下了很多遐想，“2010年，大连工厂就要投产了，我相信到那个时候，会有更多的机会，或者说这个机会大门会敞开着，让我们做更多的事情。我也相信，可以满足我们政府的规定。”
夏德仁也表示，“双方宣布建立芯片厂，仅仅是万里长征的第一步。”
夏德仁还指出，英特尔在大连建立工厂，将对大连有两方面的带动，一是间接带动，会吸引很多大公司来大连投资，而是直接带动配套厂商来大连投资。“不过，大连还需要在人才等方面加大培养力度。”
